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32.768KHz有源晶振SIT1533和SIT1552与MCU时钟设计

32.768KHz有源晶振SIT1533和SIT1552与MCU时钟设计

介绍

      基于嵌入式微控制器(MCU)的系统历来依靠低频32.768 kHz石英谐振器驱动振荡器进行时间保持和故障恢复功能.TempFlat™MEMS SiT1533振荡器和SiT1552温度补偿振荡器(TCXO)是新一代更小尺寸的32.768 kHz 可提供具有成本效益,可靠性,改进频率稳定性的替代石英32.768 kHz振荡器的器件。


       本应用笔记概述了低功耗MCU中使用的片内32 kHz振荡器模式以及SiT1533/SIT1552系列支持的不同驱动器设置。 SiT1533/SIT1552器件具有NanoDrive™,这是出厂设计的输出电压摆幅,以优化与现有振荡器维持电路的电源和连接。 本文档列出了SiT1533/SIT1552输出驱动器VOH / VOL设置的有效组合以及特定MCU的相关部件号:


       1.Energy Micro EFM32
       2.瑞萨电子RL78G13
       3. STMicroelectronics STM32
       4.德州仪器MSP430F2x
       5.恩智浦LPC11xx
       6.飞思卡尔Kinetis L4x / L5x
       7.Microchip PIC18


       特定于每个MCU的程序设计细节列在各个附录中本应用笔记。


MCU 32KHz振荡器工作模式

       大多数节能MCU都采用片上32.768 kHz振荡器作为具有固定或可调反相增益级的皮尔斯振荡器的变体,如图1所示。



图1:典型的32.768 kHz振荡器框图,显示了晶振


       该低频振荡器可以被配置为以三种不同的模式工作,如图所示图2
       1.模式1:仅谐振器模式:驱动32.768 kHz石英谐振器
       2.模式2:在XIN引脚上接受正弦波输入≥200mVpp
       3.模式-3:旁路或关闭片上数字逻辑电平时钟输入振荡器。 对于与1.8V逻辑电平兼容的振荡器输入,摆幅较小可以利用SiT15xx支持的NanoDrive来节省额外的电力



图2:MCU片上32 kHz振荡器的工作模式。


SIT5xx 输出驱动电平

       SiT15xx器件支持两种不同的输出驱动模式
       1. NanoDrive™减少摆动,工厂可编程
       2.铁路轨道全方位LVCMOS


       NanoDrive减速摆动模式
       在NanoDrive模式下,SiT15xx输出驱动器实现了各种电压摆幅和普通模式偏置电压,类似于通过32 kHz石英晶体驱动的Pierce振荡器的各种实现而持续的驱动电平。      
       对于直流偏置和摆幅电平敏感的32 kHz振荡电路,支持直流耦合VOH / VOL驱动电平。 每个VOH / VOL组合中显示正确的零件编号指示符! 参考源未找到..例如SiT153xAI-H4-D26-32.768将提供典型的驱动电平:VOH = 1.2V和VOL = 0.6V。 该设置的适用振荡器工作模式为Mode-1,如图2所示。

表1:允许的纳米驱动电平的矩阵



       图3显示了在编程时SiT153x振荡器的典型波形输出NanoDrive模式:摆幅电压,Vswing = 0.7 V,VOH = 1.1V,VOL = 0.4V进入15 pF负载。2012套件的相应部件号是SiT1533AI-H4-D14-32.768。


图3:SiT153xAI-H4-D14-32.768输出波形为15 pF负载。

       全速LVCMOS驱动

       可以将SiT153x / SiT1552系列编程为产生全摆幅LVCMOS输出。图4显示了SiT153xAI-H4-DCC-32.768,1.8V VDD到15 pF负载的波形



图4:1.8V VDD至15 pf负载下的SiT153xAI-H4-DCC-32.768的LVCMOS波形


Energy Micro EFM32

       EFM32系列微控制器基于面向低功耗操作的ARM Cortex-M0,M3或M4处理器核心。 EFM32采用低频晶体振荡器(LFXO),用于片上外设(包括RTC)和潜在的CPU内核。LFXO可以在连接在LFXTAL_N和LFXTAL_P引脚上的32.768 kHz石英晶体或外部时钟源 在LFXTAL_P引脚上。
       默认情况下,低频晶体振荡器(LFXO)被禁用。 表2列出了LFXO振荡器的三种工作模式中的每一种的SiT15xx器件的最佳设置。


表2:三个EFM32 LFXO振荡器模式的SiT15xx配置



STMicroelectronics STM32

       STM32L152RBT6是基于ARM的Cortex-M3 MCU。 内部RTC具有单独的精确低频(LSE)振荡器。 LSE振荡器具有为实时时钟(RTC),外设时钟/日历或其他定时功能提供低功耗但高度准确的时钟源的优点。 振荡器包含用于晶体连接的OSC32_IN和OSC32_OUT引脚。 作为选件,外部时钟源可以通过MCU注册的设置绕过片上振荡器而直接路由到OSC32_IN引脚。 默认情况下,LSE振荡器关闭。 与EFM32不同,LSE振荡器支持两种工作模式。表3列出了LSE振荡器的两种工作模式下SiT15xx的最佳设置。

表3:两个STM-32 LSE振荡器模式的SiT15xx配置



瑞萨电子RL78G13

       R5F100LE是基于RL78内核的16位MCU。 MCU包括一个低频晶体振荡器(XT1),可用于定时外设(包括RTC)和核心(如果需要)。 XT1时钟振荡器具有两个用于晶体连接XT1和XT2的引脚。 可以通过设置XTSTOP位(时钟操作状态控制寄存器(CSC)的位6)来停止振荡。外部CMOS电平时钟也可以提供给EXCLKS / XT2引脚。
表4列出了XT1的三种工作模式中的每一种的SiT15xx的最佳设置振荡器。

表4:三个XT1振荡器模式的SiT15xx配置

德州仪器MSP430F2x
       德州仪器的MSP430微控制器基于16位RISC CPU。 该架构结合五种不同的低功耗模式进行了优化,可在便携式应用中实现延长的电池寿命。 MSP430 MCU包括支持低系统成本和超低功耗的基本时钟模块。 基本时钟模块包括低/高频振荡器,可用于32768 Hz的低频手表晶体,谐振器或外部时钟源。 MCU有两个用于晶体连接的XIN和XOUT引脚。表5列出了XT1振荡器的三种工作模式中的每一种的SiT153x的最佳设置。


表5:两个LFXT振荡器模式的SiT15xx配置

恩智浦LPC11xx

       LPC1100 MCU是基于Cortex-M0的MCU,速度高达50 MHz。 CortexM0处理器是为各种嵌入式应用而设计的入门级32位ARM Cortex处理器。 MCU具有几种低功耗模式,可在便携式应用中实现高性能的低功耗:睡眠模式,深度睡眠模式,掉电模式和深度掉电模式。
       该MCU集成了提供32768 Hz时钟的低功耗RTC振荡器。 两个引脚RTCXIN和RTCXOUT用于32768 Hz晶振的连接。 尽管低功耗模式,RTC振荡器始终工作。 内部RTC振荡器不能旁路。表6列出了XT1振荡器适用工作模式下SiT153x的最佳设置。


表6:RTC振荡器模式的SiT15xx配置

飞思卡尔Kinetis L4x / L5x

       Kinetis L系列MCU基于ARM Cortex-M0 +处理器。 这些处理器具有低功耗和高性能。 MCU的时钟分配系统包括多功能时钟发生器(MCS),晶体振荡器(XOSC)和实时时钟(RTC)模块。 石英晶体可以连接到EXTAL32和XTAL32引脚。 如果XOSC被旁路,外部时钟可能会提供给EXTAL32引脚。
       XOSC集成了可调片上负载电容,由用户固件控制。 它们不包括将外部负载电容器连接到晶体。 有两种振荡器工作模式可供选择:高增益和低功耗配置。 高增益配置需要高电压电平。 下表列出了XOSC振荡器的两种工作模式下SiT153x的最佳设置。


表7:XOSC振荡器模式的SiT15xx配置


Microchip PIC18

       PIC18 MCU是低功耗8位器件,允许灵活的时钟定制和简单的寄存器访问,使设计人员能够在省电应用中实现较低的平均功耗。 PIC18器件包括两个振荡器。 一个是在MHz频率范围内工作的高速振荡器。 第二个振荡器使用Timer1在低功耗低频下工作,并在核心和其他外设处于省电模式时继续工作。
       辅助振荡器包括两个用于连接外部时钟源的T1OSI和T1OSO引脚。 下表显示了使用SiT153x器件作为时钟源时的两种可能模式。 为了达到最低功耗SiTime建议使用旁路模式(Mode-3)。 这消除了片上辅助振荡器电路消耗的额外电流。


表8:辅助振荡器模式的SiT15xx配置



相关链接:32.768KHz低功耗有源晶振选型

相关链接:32.768KHz高精度有源晶振选型

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