SiTime MEMS振荡器旨在实现同类最佳的EMI抑制。 EMI敏感度（EMS）的行业标准测量和性能曲线在应用笔记：MEMS振荡器与石英晶振的电磁干扰比较 中有记录

问：是否有可以降低EMI问题的MEMS时钟解决方案？
SiTime MEMS振荡器提供两种可配置功能，可解决EMI问题，符合环保要求，而无需对PCB设计进行任何修改。

1.可编程驱动强度
1.降低驱动强度会增加时钟波形的上升 - 下降时间，从而衰减高次谐波下电磁波的功率。
2.数据表中的驱动强度表列出了支持的驱动器强度，各种负载电容可达到的上升 - 下降时间，从5 pf到60 pf。
3.有效减轻来自时钟跟踪的EM。

问：什么类型的扩频时钟建议时钟MCU或FPGA：向下，向上或中心？

大多数MCU和FPGA设计都是作为同步数字模块来实现的。这些块的时钟树来自一个公共的外部时钟参考。SiTime建议使用向下扩展的时钟源，以确保在这些模块中的关键时序路径的过程，VDD和温度之间不会违反建立和保持时间。

了解更多信息，请参阅扩频振荡器页面或应用笔记SiTime扩频时钟振荡器。

问：SiTime MEMS振荡器为何抗震动和振动优越？
SiTime MEMS振荡器与类似的石英晶振器件相比，电路设计的振动敏感度更低，抗冲击能力更强。MEMS振荡器旨在展现最佳的冲击和振动弹性，工业标准测量和冲击和振动性能图表记录在应用笔记中：MEMS振荡器与石英振荡器的震动和振动性能比较。

问：>1 MHz振荡器的PSNR度量是什么？
MHz振荡器的电源噪声灵敏度（PSNR）可量化为指定噪声频率下注入的每mV电源噪声所引起的抖动量。 SiTime MEMS MHz振荡器旨在实现10 kHz至20 MHz频率范围内每mV注入电源噪声0.5 ps集成相位抖动（12 kHz至20 MHz）的最佳PSNR性能。

问：什么是<1 MHz振荡器的PSNR度量？
对于kHz振荡器系列（SiT153x，SiT1552，SiT1630）的电源噪声灵敏度（PSNR），根据频率偏差进行量化，在10 KHz至10 MHz的频率范围内，300 mV峰间正弦噪声注入。 上述振荡器系列的PSNR曲线在各个数据表中提供。

相关链接：SiTime硅晶振产品选型