欢迎来到 SiTime样品中心!

SiTime振荡器电源噪声抑制问答

问:对于> 1 MHz振荡器的去耦电容有什么参考建议?
SiTime推荐在所有MHz振荡器的VDD和GND引脚附近放置一个0.1 uF低ESR多层陶瓷芯片电容。

问:SiT15xx系列如何做旁路和去耦?
对于<1 MHz振荡器系列(SiT153x,SiT1552或SiT1630),不需要旁路电容。这些系列具有内部大容量滤波功能,可提供足够的电源滤波功能,适用于高达300 mV峰峰值和10 MHz频率分量的噪声。


问:有什么办法能够更好降低电路噪音?

VDD上的LC和RC滤波器都可以考虑用于电源噪声滤波。 LC滤波器的电压降较小,对于IDD> 5 mA的振荡器系列而言,首选。 RC滤波器可用于5 mA以下的振荡器。 最佳设计和布局实践提供了更多细节。


问:数据表中规定的工作电源电压容差如标称VDD的+/- 10%,意味着器件可以承受的交流纹波噪声的最大幅度?

不可以。数据表中的工作电源电压容差指定了器件已被表征的直流电压范围。这种直流电压容差(通常为标称VDD的10%)不应与电源电压的交流噪声纹波混淆。电源噪声敏感度(PSNS)定义了抑制电源电压交流噪声的能力,电源噪声敏感度(PSNS)用于测量特定电源噪声频谱范围内由交流噪声纹波引起的附加抖动量。


相关链接:SiTime硅晶振产品选型

相关链接

备案号:京ICP备13034140号-2  ©北京晶圆电子有限公司 版权所有