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SiT8918

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1-110MHz任意频率，-40~+125℃抗冲击高温晶振

SiT8918抗冲击高温晶振提供了一个宽的频率范围（1 MHz到110 MHz），优良的稳定性（±20 ppm）和宽的温度范围（-40到125°C）以及更小的2.0x1.6 mmxmm封装，石英晶振不容易同时满足这些优势。

SIT8918抗冲击高温晶振与石英晶振相比，稳定性好2倍，可靠性高20倍，抗冲击和振动能力强30倍。冲击力和振动力会降低性能，并导致石英晶振发生故障。晶体谐振器是悬臂结构，可能对机械力非常敏感，并且容易产生相位噪声和振动引起的抖动，以及冲击引起的频率尖峰。相反，MEMS谐振器的振动较小，因为其质量比石英谐振器低1000至3000倍。这减小了由振动引起的加速度施加到谐振器的力。 SiTime MEMS谐振器是刚性结构，可在真空腔体体模式下在平面内振动。

选型参数
优势特点
产品应用
命名规则
特价商品
Resources

频率范围   1MHz - 110MHz，可精确到小数点后6位
频率稳定性(ppm)   ±20，±25，±30，±50
相位抖动(ps)   1.3ps
输出类型   LVCMOS
工作温度范围(℃)   -40 ~ +105，-40 ~ +125
上升/下降时间(ns)   可配置，降低EMI
工作电压(V)   1.8 ~ 3.3
封装尺寸(mm2)    2.0x1.6，2.5x2.0，3.2x2.5，5.0x3.2，7.0x5.0
特点   -40℃ ~ +125℃，可编程制程任意参数自由组合
状态   量产



SiT8918抗冲击宽温晶振可编程制程，任意参数自由组合
  • ● -40℃ ~ +125°C抗冲击温度范围
  • ● 1MHz-110MHz，可精确到小数点后6位
  • ● ±20ppm ~ ±50ppm全温范围频率稳定性
  • ● 1.8，2.5V - 3.3V任意工作电压自动适配
  • ● 行业标准通用尺寸，完全兼容替代石英晶振


SiT8918抗冲击宽温晶振具有0.1 ppb/g灵敏度

  • ● 高振动条件下的最佳鲁棒性


SiT8918抗冲击宽温晶振具有70g抗振动和50000g抗冲击性能

  • ● 恶劣环境下的最佳系统可靠性


SiT8918抗冲击宽温晶振支持可配置驱动力强度

  • ● 可配置的上升/下降时间，降低振荡器的EMI
  • ● 通过驱动多个负载来节省成本，消除其他计时组件



● 发动机和变速箱ECU ● 石英晶振替换 ● ADAS计算机 ● 汽车摄像头
● 信息娱乐 ● 全球导航卫星系统 ● GPS/GNSS模块 ● 电力和能源

功能引脚示意图 脚位
功能 说明

1
 OE/ST/NC
 Output Enable

H[1]: specified frequency output

L: output is high impedance. Only output driver is disabled.

Standby

H[1]: specified frequency output

L: output is low (weak pull down). Device goes to sleep mode.
Supply current reduces to I_std.
No Connect 
Any voltage between 0 and Vdd or Open[1]: Specified frequency
output. Pin 1 has no function.
2 GND Power
 Electrical ground[2]
3
 OUT Output
 Oscillator output
4 VDD Power
 Power supply voltage[2]

Notes:

1. In OE or ST mode, a pull-up resistor of 10 kΩ or less is recommended if pin 1 is not externally driven. If pin 1 needs to be left floating, use the NC option.
2. A capacitor of value 0.1 μF or higher between Vdd and GND is required.

 

 

 



标题 时间
类别：
频率：
MHz(输入频率值范围为1.0~~220.0MHZ)
输出电平模式：
抖动：
封装尺寸：
频率稳定度：
温度范围：
工作电压：
包装形式：
输出控制脚：
牵引范围：
扩频比例：
驱动强度：

选型生成SiTime型号如下：

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