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60-220MHz任意频率,±0.5ppm压控温补晶振,抗冲击抗震动

SIT5157抗冲击温补晶振是一种高度灵活的,高精度温度补偿振荡器Super-TCXO,最高能够支持220MHz。 SIT5157基于SiTime独特的DualMems™和TurboComentation™温度传感技术,SIT5157在存在常见的环境危害的情况下提供了出色的动态性能,例如气流,温度扰动,振动,冲击,电源噪声和电磁干扰(EMI)。


SIT5157针对工业,服务器和存储,网络和电信的高可靠性系统进行了设计。当温度快速变化时,高精度时钟器件的动态性能就会成为这类型设备的关键要求。MEMS技术在动态环境下原本表现就比较好,已成为石英技术一个相当有趣的替代方案。


SIT5157可以出厂编程为频率,稳定性,电压和牵引范围的任何组合。 此外,为了过滤电源噪声,SIT5157还集成多个片上稳压器,不必使用专用外部 LDO。SIT5157的这种可编程性使设计人员能够自定义MEMS TCXO配置,以获得最佳系统性能,同时消除了与石英设备相关的较长的交货时间和自定义成本。


选型参数
优势特点
产品应用
命名规则
Resources
频率范围   60MHz - 220MHz之间任意频率,可精确到小数点后6位
频率稳定性(ppm)   ±0.5,±1.0,±2.5
相位抖动(ps)   0.31ps
输出类型   LVCMOS,,Clipped sinewave
工作温度范围(℃)   -20 ~ +70,-40 ~ +85,-40 ~ +105
牵引范围(ppm)   ±6.25 ~ ±3200
上升/下降时间(ns)   可配置,降低EMI
工作电压(V)   2.5,2.8,3.0,3.3
封装尺寸(mm2)    5.0x3.2
特点   可编程制程,任意参数自由组合
状态   量产





SiT5157高精度压控温补晶振在气流、快速温度斜坡下具有出色的动态稳定性
  • ● 高精度±0.5ppm频率稳定性
  • ● 3e-11平均时间为10秒的ADEV
  • ● ±15 ppb/°C频率斜率(ΔF/ΔT):在任何操作条件下实现最快的卫星锁定


SiT5157高精度压控温补晶振振动时相位噪声提高20倍

  • ● 最大限度地减少高振动环境中的卫星锁定损失


SiT5157高精度压控温补晶振无活动下降或微跳

  • ● 无需进行昂贵的筛选或老化试验


SiT5157高精度压控温补晶振具有0.2 ps/mV电源噪声抑制(PSNR)

  • ● 通过消除TCXO的专用LDO来减少BOM


SiT5157高精度压控温补晶振信号模式:LVCMOS或削波正弦波输出

  • ● 优化EMI和抖动之间的最佳平衡

SiT5157高精度压控温补晶振具有丰富的可编程功能

  • ● 60MHz - 220MHz任意频率,可精确到小数点后6位
  • ● 频率稳定度:±0.5 ppm、±1 ppm、±2.5 ppm
  • ● 2.25V - 3.63V
  • ●  牵引范围±6.25 ±3200ppm:定制TCXO规范以实现最佳系统性能


SiT5157高精度压控温补晶可以通过I2C进行数字频率调谐

  • ● 消除电路板噪声引起的频移


SiT5157高精度压控温补晶具有卓越的可靠性

  • ● 10亿小时MTBF
  • ● 终身保修:减少因时钟组件导致的维修成本和现场故障

● 数据通信系统 ● 以太网交换机和路由器 ● 工业IEEE1588 ● GPS/GNSS模块
● 微波回程 ● 数据中心 ● 音频和视频 ● 测试和测量
● 精密GNSS

功能引脚示意图
脚位
功能

 上拉/下拉电阻 

说明

1 OE/NC[10]/VC
OE – Input
100kΩ Pull-Up

 H[8]: specified frequency output 

 L: output is high impedance. Only output driver is disabled.

NC – No Connect

 H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
VC – Input

 Control Voltage in VCTCXO Mode
2 SCL / NC[10]
SCL – Input
200kΩ  Pull-Up
 I2C serial clock input
No Connect

 H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
3 NC[10]
No Connect
-  H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
4 GND
Power
-  Connect to ground
5 A0 / NC[10]
A0 – Input
100 kΩ Pull-Up

 Device I2C address when the address selection mode is via the A0 pin. This pin is NC when the I2C device address is specified in the ordering code.

 A0 Logic Level    I2C Address
 0                        1100010
 1                        1101010
NC – No Connect

 H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions.
6 CLK
Output
-  LVCMOS, or clipped sinewave oscillator output
7 NC[10]
No Connect
-  H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
8 NC[10]
No Connect
-  H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
9 VDD
Power
-  Connect to power supply[9]
10 SDA / NC[10]
SDA – Input/Output
200 kΩ Pull Up  I2C Serial Data.
NC – No Connect

 H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions.

Notes:
8.In OE mode for noisy environments, a pull-up resistor of 10 kΩ or less is recommended if pin 1 is not externally driven. If pin 1 needs to be left floating, use the NC option.
9.A 0.1 μF capacitor in parallel with a 10 μF capacitor are required between VDD and GND. The 0.1 μF capacitor is recommended to place close to thedevice, and place the 10 μF capacitor less than 2 inches away.
10.All NC pins can be left floating and do not need to be soldered down.


标题 时间
MEMS谐振器介绍 2021-03-15
如何测量晶振频率 2021-03-15
时钟抖动定义及测量方法 2021-03-15
类别:
频率:
MHz(输入频率值范围为1.0~~220.0MHZ)
输出电平模式:
抖动:
封装尺寸:
频率稳定度:
温度范围:
工作电压:
包装形式:
输出控制脚:
牵引范围:
扩频比例:
驱动强度:

选型生成SiTime型号如下:

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