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SiTime提供了完整的单端MHz有源晶振产品组合。 SiTime MEMS单端有源晶振具有石英晶振无法提供的可配置功能,并被设计用于更高的可靠性,更短的交货时间,并解决独特的时序问题,例如EMI和温漂。 SiTime MEMS单端有源晶振完全兼容替代传统石英晶振,而无需任何设计或电路板布局更改。

单端低功耗有源晶振

SiTime为消费,工业,物联网和网络应用提供了广泛的单端低功耗有源晶振产品组合。 具有1-137MHz频率范围,支持1.8-3.3 V电源电压自动适配。低功耗,小尺寸,并且在宽温度范围内具有出色的温度稳定性。

  • 1至137 MHz任意频率,精度为小数点后6位
  • 行业标准封装(2016、2520、3225、5032和7050)
  • SOT23-5引线封装,具有更高的板级可靠性和可制造性
  • FlexEdge™可配置的上升/下降时间,压摆率为0.25至40 ns,可降低EMI


Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT8008 1MHz - 110 MHz ±20
±25
±50
LVCMOS 1.8 - 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
2.0x1.6, 2.5x2.0,3.2x2.5, 5.0x3.2,7.0x5.0
SiT8009 115MHz -137 MHz ±20
±25
±50
LVCMOS 1.8 - 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
2.0x1.6, 2.5x2.0,3.2x2.5, 5.0x3.2,7.0x5.0
SiT1602 52个标准频率 ±20
±25
±50
LVCMOS 1.8-3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
2.0x1.6, 2.5x2.0,3.2x2.5, 5.0x3.2,7.0x5.0
SiT8021 1 MHz - 26 MHz ±50
±100
LVCMOS 1.8,2.25~3.63 -20 ~ +70
-40 ~ +85
1.5 x 0.8
SiT2002 115MHz - 137MHz ±20
±25
±50
LVCMOS 1.8 - 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
SOT23(2.9 x 2.8)
SiT2001 1MHz - 110MHz ±20
±25
±50
LVCMOS 1.8~3.63 -20 ~ +70
-40 ~ +85
SOT23(2.9 x 2.8)

单端低抖动有源晶振

SiTime MEMS低抖动有源晶振实现了0.6ps的低相位抖动和±10PPM的频率稳定度。SiTime低抖动MEMS硅晶振解决方案被誉为首个超过SONET标准的MEMS时钟解决方案。低抖动MEMS硅晶振是音频、视频、电信、网络和存储应用的理想选择,可直接代替传统石英晶振。

  • 支持1-220MHz之间任意频点,精度为小数点后6位
  • 工作电压:1.8V,2.5V-3.3V
  • 业界标准封装:2520,3225,5032和7050封装
  • -40至+ 85℃范围内10 ppm的频率稳定性


Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT8208 1MHz - 80 MHz ±10
±20
±25
±50
LVCMOS 1.8,2.5,2.8,3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
2.5x2.0,3.2x2.5, 5.0x3.2,7.0x5.0
SiT8209 80MHz to 220 MHz ±10
±20
±25
±50
LVCMOS 1.8,2.5 2.8,3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
2.5x2.0,3.2x2.5, 5.0x3.2,7.0x5.0
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