欢迎来到 SiTime样品中心!

SiTime的EMI扩频晶振SSXO通过扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整来确保发射合规性。 SiTime的Time Machine II编程器支持扩频晶振SSXO,使工程师能够快速降低排放水平并确保客户通过合规性。


单端扩频晶振

SiTime可编程扩频晶振可确保用户产品满足相关辐射标准,加快产品营收。辐射不合规(产品辐射无法满足相关标准)常常发生在产品开发的最后阶段,造成不可预见的故障排除和昂贵的生产延迟。通过扩频时钟信号和调整信号的上升、下降沿,允许设计人员(通过现场编程的方式实时)降低辐射度。

  • 基本频率高达17 dB,谐波高达30 dB
  • 广泛的传播范围:峰对峰率高达4%
  • FlexEdge™可配置的上升/下降时间选项:转换速率为0.25 ns至40 ns


Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT9005 1MHz - 141 MHz ±20
±25
±50
LVCMOS 1.8, 2.5 to 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
2.0x1.6,2.5x2.0, 3.2x2.5
SiT9003 1MHz - 110 MHz ±50
±100
LVCMOS 1.8, 2.5, 2.8, 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
2.5x2.0x0.75, 3.2x2.5x0.75, 5.0x3.2x0.75, 7.0x5.0x

差分扩频晶振

SiTime差分扩频晶振系列是单芯片解决方案,可替代扩频 IC 和外部晶体。差分扩频晶振包括可编程驱动强度功能,通过放慢时钟的上升和下降时间和改善时钟接收器 (RX) 下游抖动,将系统辐射电磁干扰 (EMI) 降低了 12 dB。这些特性保持全摆幅的同时驱动大容性负载。


  • 业界最佳的周期间抖动,低至15ps
  • 使系统设计人员可以最大程度地减少对时序预算的影响
  • 取决于系统的EMI降低,三次谐波最高降低-17 dB,基本峰值功率(100 MHz扩频频率)降低-12 dB
  • 具有成本效益的EMI降低和最快的上市时间
  • 灵活的扩频选项:
  • 多种中心扩展/向下扩展调制模式
  • 提供扩展禁用模式:在系统设计中优化EMI性能


Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT9002 1MHz - 220 MHz ±25
±50
CML/HCSL/LVDS/LVPECL 1.8, 2.5, 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
5.0x3.2x0.75, 7.0x5.0x0.9
备案号:京ICP备13034140号-2  ©北京晶圆电子有限公司 版权所有