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10-40MHz常规频率,±0.5ppm温补晶振抗冲击抗震动,RDSS/RNSS/GNSS典型应用

      SiT5155抗冲击温补晶振是SiTime公司推出的一款10-40MHZ输出的高精度、抗冲击、芯片级、可编程的温度补偿型振荡器,不会产生频率扰动或微跳变。SIT5155广泛应用于小型基站、北斗导航定位GNSS/RNSS、短报文RDSS模块,同步以太网及光学设备。

      SiT5155抗冲击温补晶振具有极高的稳定性(±0.5 ppm),出色的动态性能和丰富的功能。 SIT5155设备解决了电信,网络和精密GNSS系统的根深蒂固的时序问题。SIT5155在降低功耗和尺寸的同时,同样用于取代新兴的5G和IEEE 1588同步应用中的传统石英温补晶振。SIT5155在高温、热震荡、振动以及不可预期的气流下持续运行。

      SiT5155抗冲击温补晶振专为精准农业、勘测、电力、水利或其它北斗高精度RDSS/GNSS/RNSS等系统而设计。SIT5155基于 SiTime 独特的 DualMEMS™ 温度传感和 TurboCompensation™ 技术,提供卓越的动态性能,可在存在冲击、振动、快速温度变化、电源噪声和电磁干扰 (EMI) 的情况下以快速锁定卫星信号。SiT5155抗冲击温补晶振通过消除活动下降和微跳进一步减少卫星锁定的损失。

选型参数
优势特点
产品应用
命名规则
Resources
频率范围   1MHz - 40MHz之间12个固定频率
频率稳定性(ppm)   ±0.5,±1,±2.5
相位抖动(ps)   0.31ps
输出类型   LVCMOS,Clipped sinewave
工作温度范围(℃)   -20 ~ +70,-40 ~ +85,-40 ~ +105
牵引范围(ppm)   ±6.25 ~ ±3200
上升/下降时间(ns)   可配置,降低EMI
工作电压(V)   2.5,2.8,3.0,3.3
封装尺寸(mm2)    5.0x3.2
特点   可编程制程,任意参数自由组合
状态   量产





SiT5155高精度压控温补晶振在气流、快速温度斜坡下具有出色的动态稳定性
  • ● 高精度±0.5ppm频率稳定性
  • ● 3e-11平均时间为10秒的ADEV
  • ● ±15 ppb/°C频率斜率(ΔF/ΔT):在任何操作条件下实现最快的卫星锁定


SiT5155高精度压控温补晶振振动时相位噪声提高20倍

  • ● 最大限度地减少高振动环境中的卫星锁定损失


SiT5155高精度压控温补晶振无活动下降或微跳

  • ● 无需进行昂贵的筛选或老化试验


SiT5155高精度压控温补晶振具有0.2 ps/mV电源噪声抑制(PSNR)

  • ● 通过消除TCXO的专用LDO来减少BOM


SiT5155高精度压控温补晶振信号模式:LVCMOS或削波正弦波输出

  • ● 优化EMI和抖动之间的最佳平衡


SiT5155高精度压控温补晶可以通过I2C进行数字频率调谐

  • ● 消除电路板噪声引起的频移


SiT5155高精度压控温补晶具有卓越的可靠性

  • ● 10亿小时MTBF
  • ● 终身保修:减少因时钟组件导致的维修成本和现场故障

● 工业GNSS ● 电信GNSS ● 精密GNSS ● GPS/GNSS模块
功能引脚示意图
脚位
功能

 上拉/下拉电阻 

说明

1 OE/NC[10]/VC
OE – Input
100kΩ Pull-Up

 H[8]: specified frequency output 

 L: output is high impedance. Only output driver is disabled.

NC – No Connect

 H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
VC – Input

 Control Voltage in VCTCXO Mode
2 SCL / NC[10]
SCL – Input
200kΩ  Pull-Up
 I2C serial clock input
No Connect

 H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
3 NC[10]
No Connect
-  H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
4 GND
Power
-  Connect to ground
5 A0 / NC[10]
A0 – Input
100 kΩ Pull-Up

 Device I2C address when the address selection mode is via the A0 pin. This pin is NC when the I2C device address is specified in the ordering code.

 A0 Logic Level    I2C Address
 0                        1100010
 1                        1101010
NC – No Connect

 H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions.
6 CLK
Output
-  LVCMOS, or clipped sinewave oscillator output
7 NC[10]
No Connect
-  H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
8 NC[10]
No Connect
-  H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
9 VDD
Power
-  Connect to power supply[9]
10 SDA / NC[10]
SDA – Input/Output
200 kΩ Pull Up  I2C Serial Data.
NC – No Connect

 H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions.

Notes:
8.In OE mode for noisy environments, a pull-up resistor of 10 kΩ or less is recommended if pin 1 is not externally driven. If pin 1 needs to be left floating, use the NC option.
9.A 0.1 μF capacitor in parallel with a 10 μF capacitor are required between VDD and GND. The 0.1 μF capacitor is recommended to place close to thedevice, and place the 10 μF capacitor less than 2 inches away.
10.All NC pins can be left floating and do not need to be soldered down.

标题 时间
MEMS谐振器介绍 2021-03-15
如何测量晶振频率 2021-03-15
时钟抖动定义及测量方法 2021-03-15
类别:
频率:
MHz(输入频率值范围为1.0~~220.0MHZ)
输出电平模式:
抖动:
封装尺寸:
频率稳定度:
温度范围:
工作电压:
包装形式:
输出控制脚:
牵引范围:
扩频比例:
驱动强度:

选型生成SiTime型号如下:

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