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1-60MHz任意频率,Stratum 3E恒温晶振±5ppb,抗冲击抗震动

      在 5G 之前,恒温晶振OCXO 部署在良好受控的环境中。现在5G应用通常被部署到诸如塔楼、屋顶或灯柱等非受控环境中。在这样的环境中,传统石英恒温晶振OCXO容易受到诸如振动、温度变化和冲击等环境压力因素的干扰,进而降低网络性能、减少正常运行时间,甚至影响ADAS、精准定位等任务关键型服务的体验。因此,设计人员在布局石英恒温晶振OCXO时,必须远离气流和热源等压力因素,甚至使用专门的金属或塑料罩进行热隔离,但这会增加布线和制造生产复杂性,并导致潜在的信号完整性问题。此外,设计人员也尝试使用专门的塑封型 恒温晶振OCXO 盖进行热隔离,但这会增加制造步骤和生产复杂性。


     SiTime Emerald平台MEMS 高精度±5ppb恒温晶振OCXO的问世则消除了这些问题。SiT5711是业界最小的Stratum 3E OCXO恒温晶振,具有±5 ppb的频率稳定性和50 ppt /°C的频率斜率(ΔF/ΔT)。SiT5711高精度恒温晶振OCXO利用独特的DualMEMS™和TurboCompensation™温度传感技术,可在存在环境压力因素(如气流,温度扰动,振动,冲击和电磁干扰(EMI))的情况下提供最稳定的时序。SiT5711高精度恒温晶振作新兴5G和IEEE 1588同步应用中传统石英OCXO的直接替代,同时提高整体系统性能和稳健性,SiT5711高精度恒温晶振OCXO通过使用可编程模拟架构,这有助于在短短的交货周期内确保 100% 的可用性。

     SiT5711高精度恒温晶振OCXO在有气流和热冲击的情况下,相比石英晶振性能提升了10倍,且拥有无与伦比的易用性:PCB布局不受限、热隔离无需机械屏蔽、无需外部LDO或铁氧体磁珠、耐潮湿,且能保证半导体级质量与可靠性以及批量间一致性,无活性下降。具体的,Emerald OCXO可以适应+105℃运行温度,抵抗0.1ppb/g振动,并具有50ppt/C卓越的动态稳定性,不但能大幅简化设计,缩短开发时间,还能加速营收,提升系统性能。SIT5711创新的温度补偿算法,结合SiTime的 MEMS 和模拟组件,确保 5G 设备可以部署在任何环境中的任何地方。
选型参数
优势特点
产品应用
命名规则
Resources
频率范围   1MHz - 60MHz之间任意频率,可精确到小数点后6位
频率稳定性(ppm)   ±0.005(±5ppb),±0.008(±8ppb)
输出类型   LVCMOS,,Clipped sinewave
工作温度范围(℃)   -20 ~ +70,-40 ~ +85
工作电压(V)   3.3
封装尺寸(mm2)    9.0x7.0
特点   可编程制程,任意参数自由组合
状态   量产







SiT5711高精度±5ppb恒温晶振OCXO在气流和快速温度上升下,动态稳定性提高10倍,确保在恶劣环境下的最佳系统性能
  • ● 高精度±5ppb或±8ppb频率稳定性
  • ● 气流下10秒的2e-11 ADEV
  • ● ±1 ppb/°C频率斜率(ΔF/ΔT):在任何操作条件下实现最快的卫星锁定


SiT5711高精度±5ppb恒温晶振OCXO具有无与伦比的易用性,简化了系统设计

  • ● PCB放置无限制
  • ● 热隔离无需机械屏蔽
  • ● 耐潮湿
  • ● 片上调节器,无需外部LDO或铁氧体磁珠


SiT5711高精度±5ppb恒温晶振OCXO尺寸小,是高精度和小尺寸系统的理想选择

  • ● 9.0mm x 7.0mm 比石英OCXO小75%
  • ● 6.5mm高,比石英OCXO薄40%


SiT5711高精度±5ppb恒温晶振OCXO具有更高的可靠性和鲁棒性

  • ● 抗振性提高20倍,是户外杆式设备的理想选择
  • ● 抗麦克风和/或电路板弯曲效应,是大型电信PCB的理想选择
  • ● 半导体级质量和可靠性,批次间一致性
  • ● 无活动下降或微跳


SiT5711高精度±5ppb恒温晶振OCXO具有丰富的可编程功能

  • ● 1MHz - 60MHz任意频率,可精确到小数点后6位
  • ● 频率稳定度:±5 ppb、±8 ppb
  • ● 信号模式:LVCMOS、削峰正弦波
● SONET/SDH Stratum 3 ● IEEE 1588边界时钟 ● 核心和边缘路由器 ● 运营商级交换机
● GNSS定时模块 ● 国防与航空航天 ● 电力和能源 ● 远程通信
● 基站 ● 仪器仪表

功能引脚示意图 脚位 功能 上拉/下拉电阻  说明
1 OE/NC OE – Input 100 kΩ Pull-Up
  H[7]: specified frequency output
  L: output is high impedance. Only output driver is disabled
NC – No Connect   H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions [8]
2 NF No Function -   Solder to pads. Connect to VDD [9]
3
4
5 GND Ground -   Connect to ground [10]
6 CLK Output -   LVCMOS, or clipped sinewave oscillator output
7 DNC Do Not Connect -   Solder to pads. Do not connect [11]
8 NF No Function -   Solder to pads. Connect to VDD [9]
9
10 VDD Power -   Connect to VDD

Notes:
7. In OE mode, a pull-up resistor of 100 kΩ or less is recommended if Pin 1 is not externally driven. If Pin 1 needs to be left floating, use the NC option.
8. Pin 1 voltage should not exceed device VDD or fall lower than device GND. Either of these conditions may lead to frequency sh ifts larger than
specified limits.
9. SiTime recommends electrical connection to VDD. Use narrow traces (e.g. 4 to 6 mil) to avoid significant heat dissipation through these pads.
10. 0.1 μF capacitor in parallel with a 10 μF capacitor are required between VDD and GND.
11. Connecting DNC pin to VDD or ground may cause the device to malfunction.


标题 时间
MEMS谐振器介绍 2021-03-15
如何测量晶振频率 2021-03-15
时钟抖动定义及测量方法 2021-03-15
类别:
频率:
MHz(输入频率值范围为1.0~~220.0MHZ)
输出电平模式:
抖动:
封装尺寸:
频率稳定度:
温度范围:
工作电压:
包装形式:
输出控制脚:
牵引范围:
扩频比例:
驱动强度:

选型生成SiTime型号如下:

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