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高精度温补晶振TCXO

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基于Elite PlatformTM 的SiTime高精度温补晶振，提供业界领先的动态频率稳定特性。SiTime高精度温补晶振应用创新的DualMEMS™架构，同时采用TurboCompensation™ 和无噪声温度传感技术，Elite PlatformTM 高精度 Super-TCXOs在气流、温度快速变化、环境振动、机械冲击、电源噪声和电磁干扰 (EMI)的条件下提供最稳定时钟信号。SiTime高精度温补晶振可以编程为各种参数中频率，稳定性，电压和牵引范围的任意组合，从而消除了与石英温补晶振TCXO相关的长交货时间和定制成本。

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±0.5ppm抗冲击温补晶振 ±0.1ppm高精度温补晶振

±0.5ppm抗冲击温补晶振

Elite Platform™ Super-TCXO抗冲击温补晶振具有多种频率稳定性（±0.5 ppm至±2.5 ppm），1至220 MHz任意频率，以及出色的动态性能和丰富的功能。SiTime的抗冲击温补晶振解决了电信，网络，精密GNSS和北斗导航通讯定位系统中根深蒂固的时序问题。SiTime抗冲击TCXO温补晶振通过将抗振动和低相位噪声与陶瓷封装相结合，替代新兴的5G和IEEE 1588同步应用中的传统石英温补晶振TCXO，同时降低功耗和尺寸。
  • 动态稳定性优于石英（约为1ppb/°C的ΔF/ΔT），抗气流和热冲击
  • -40 °C到105 °C的工作温度范围，适用于无风扇的户外设备
  • I2C数字频率调谐功能，无需外部DAC，同时减小对电路板噪声的敏感度
  • 片上电源噪声过滤，无需专用的LDO
  • 无主动突降或微跳问题
Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT5156 1MHz - 60MHZ ±0.5
±1
±2.5 		LVCMOS/Clipped Sinewave 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 		5.0 x 3.2
SiT5157 60MHz - 220MHZ ±0.5
±1
±2.5 		LVCMOS/Clipped Sinewave 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 		5.0 x 3.2
SiT5155 10MHz - 40MHz ±0.5
±1
±2.5 		LVCMOS/Clipped Sinewave 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 		5.0 x 3.2

±0.1ppm高精度温补晶振

SiTime 的 Elite Platform™ Super-TCXO 采用DualMEMS ™架构设计，结合了三个关键元素：TempFlat MEMS™ 谐振器、MEMS 温度传感器和高度集成的混合信号 IC。SiTime高精度温补晶振内部架构结合了世界上最灵敏的温度传感器、专有温度补偿方案 (TurboCompensation™) 和低噪声频率合成器。SiTime的Elite高精度温补晶振计时解决方案提供了 30 倍的动态性能、10 倍的动态稳定性和 20 倍的抗振性（g灵敏度），可在存在常见环境危害（例如气流、温度扰动、振动、冲击、电源噪声和电磁干扰（EMI）时提供卓越的动态性能).

Elite高精度温补晶振可提供出色的动态稳定性、超低抖动、宽频率范围和可编程性，支持 1 至 220 MHz 之间的任何频率。
  • 在环境温度和气流快速变化的情况下保持频率稳定性：
  • • 全温度范围的工作频率稳定性±100ppb；
    • 10秒平均时间的艾伦偏差（ADEV）3e-11；
    • 在每分钟10℃的超快温度时间变化率下，频率温度变化率 1 ppb/℃
  • 没有类似石英晶振的寄生模式频率扰动和微跳变；
  • 拥有0.1 ppb/g超低振动敏感度；
  • 拥有0.2 ps/mv电源噪声抑制（PSNR）；
  • 可选I2C频率编程调谐功能，无需外部DAC；
Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT5356 1MHz - 60MHz ±0.1
±0.2
±0.25 		LVCMOS/Clipped Sinewave 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 		5.0 x 3.2
SiT5357 60MHz - 220MHz ±0.1
±0.2
±0.25 		LVCMOS/Clipped Sinewave 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 		5.0 x 3.2
SiT5501 1MHz - 60MHz ±0.01
±0.02 		LVCMOS/Clipped Sinewave 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 40 ~ +85
-40 ~ +105 		7.0 x 5.0

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