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SiTime高精度MEMS温补晶振TCXO经过精心设计,可在环境压力条件下提供最稳定的时序-气流,快速温度变化,冲击,振动,电源不良和EMI。 高精度温补晶振TCXO可以编程为各种参数中频率,稳定性,电压和上拉范围的任意组合,从而消除了与石英TCXO相关的长交货时间和定制成本。

±0.5ppm抗冲击温补晶振

Elite Platform™Super-TCXO高精度温补晶振具有严格的稳定性(±0.5 ppm至±2.5 ppm),1至220 MHz任意频率,具有出色的动态性能和丰富的功能。SiTime高精度温补晶振TCXO解决了电信,网络和精密GNSS系统中根深蒂固的时序问题。 SiTime高精度温补晶振TCXO可用于替代新兴的5G和IEEE 1588同步应用中的传统石英温补晶振TCXO,同时降低功耗和尺寸。
  • 动态精度提升30倍(约为1ppb/°C的ΔF/ΔT),抗气流和热冲击
  • -40 °C到105 °C的工作温度范围理想适用于无风扇的户外设备
  • I2C数字频率调谐功能,无需外部DAC,同时减小对电路板噪声的敏感度
  • 片上电源噪声过滤,无需专用的LDO
  • 无主动突降或微跳问题
Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT5156 1MHz - 60MHZ ±0.5
±1
±2.5
LVCMOS/Clipped Sinewave 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105
5.0 x 3.2
SiT5157 60MHz - 220MHZ ±0.5
±1
±2.5
LVCMOS/Clipped Sinewave 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105
5.0 x 3.2
SiT5155 10MHz - 40MH ±0.5
±1
±2.5
LVCMOS/Clipped Sinewave 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105
5.0 x 3.2

±0.1ppm高稳三级钟温补晶振

Elite Platform™Super-TCXO高稳三级钟温补晶振具有严格的稳定性(±0.1 ppm至±0.25 ppm),1至220 MHz任意频率,具有出色的动态性能和丰富的功能。SiTime高稳三级钟温补晶振TCXO解决了电信,网络和精密GNSS系统中根深蒂固的时序问题。 SiTime高稳三级钟温补晶振TCXO可用于替代新兴的5G和IEEE 1588同步应用中的传统石英温补晶振TCXO,同时降低功耗和尺寸。
  • 动态精度提升30倍(约为1ppb/°C的ΔF/ΔT),抗气流和热冲击
  • -40 °C到105 °C的工作温度范围理想适用于无风扇的户外设备
  • I2C数字频率调谐功能,无需外部DAC,同时减小对电路板噪声的敏感度
  • 片上电源噪声过滤,无需专用的LDO
  • 无主动突降或微跳问题
Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT5356 1MHz - 60MHz ±0.1
±0.2
±0.25
LVCMOS/Clipped Sinewave 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105
5.0 x 3.2
SiT5357 60MHz - 220MHz ±0.1
±0.2
±0.25
LVCMOS/Clipped Sinewave 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105
5.0 x 3.2
SiT5501 1MHz - 60MHz ±0.01
±0.02
LVCMOS/Clipped Sinewave 2.5, 2.8, 3.0, 3.3 40 ~ +85
-40 ~ +105
7.0 x 5.0
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