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1-60MHz任意频率,±0.1ppm高精度温补晶振抗冲击抗震动,5G通信和网络同步典型应用

      5G 预计将掀起数据经济的变革,但首先它将重写无线网络部署规则。5G 无线电将部署在室外环境中,比如路灯柱、建筑物、交通信号灯上。它将暴露在高温和温度快速变化的环境中,因此可能导致无线电无法同步的现象,从而造成高级驾驶辅助系统和远程医疗等服务发生中断。


与其他时序厂商不同,SiTime采取系统方法解决上述问题。我们优化我们的 MEMS SiT5356 Super-TCXO系统、模拟、先进封装技术和温度补偿,在-40到105的温度范围内提供 ±100 ppb 的稳定性和 ±1 ppb/℃ 的频率斜率 (ΔF/ΔT)等业界领先性能。

SIT5356高精度温补晶振完全符合GR-1244 Stratum 3振荡器规范,满足 IEEE 1588 规定的 5G/4G+ 无线电同步要求。我们相信配备 SiTime Super-TCXO 的无线电设备能够最大限度地减少 5G/4G+服务的中断,确保更优异的用户体验。

SIT5356高精度温补晶振是±100 ppb精度MEMS Super-TCXO。 SIT5356高精度温补晶振经过精心设计,基于创新的 DualMEMS™架构,同时采用了 TurboCompensation™ 技术。SIT5356高精度温补晶振在气流、温度快速变化、环境振动、机械冲击、电源噪声和电磁干扰 (EMI)的条件下提供最稳定时钟信号。

SIT5356高精度温补晶振架构具备以下三大特性,可以提供优异的动态性能:

  • 坚固耐用、可靠且经过验证的 TempFlat MEMS™ 能消除频率扰动(activity dip),振动免疫力也比石英高出 30 倍;
  • 100%准确热耦合的 DualMEMS 温度检测,因此温度跟踪快了 40 倍,可确保气流与快速温度变化条件下的最佳性能;
  • 高度集成的混合信号电路,搭配片上内置稳压器、时间至数字转换器(TDC)以及低噪声锁相环回路(PLL),对电源噪声的免疫力提高了 5 倍,温度分辨率达 30 uK,是石英 10 倍之多



选型参数
优势特点
产品应用
命名规则
Resources

频率范围   1MHz - 60MHz之间任意频率,可精确到小数点后6位
频率稳定性(ppm)   ±0.1,±0.2,±0.25
相位抖动(ps)   0.31ps
输出类型   LVCMOS,,Clipped sinewave
工作温度范围(℃)   -20 ~ +70,-40 ~ +85,-40 ~ +105
牵引范围(ppm)   ±6.25 ~ ±3200
上升/下降时间(ns)   可配置,降低EMI
工作电压(V)   2.5,2.8,3.0,3.3
封装尺寸(mm2)    5.0x3.2
特点   可编程制程,任意参数自由组合
状态   量产






SiT5356高精度压控温补晶振在气流、快速温度斜坡下具有出色的动态稳定性
  • ● 高精度±0.1ppm频率稳定性
  • ● 3e-11平均时间为10秒的ADEV
  • ● ±1 ppb/°C频率斜率(ΔF/ΔT):在任何操作条件下实现最快的卫星锁定


SiT5356高精度压控温补晶振振动时相位噪声提高20倍

  • ● 最大限度地减少高振动环境中的卫星锁定损失


SiT5356高精度压控温补晶振无活动下降或微跳

  • ● 无需进行昂贵的筛选或老化试验


SiT5356高精度压控温补晶振具有0.2 ps/mV电源噪声抑制(PSNR)

  • ● 通过消除TCXO的专用LDO来减少BOM


SiT5356高精度压控温补晶振信号模式:LVCMOS或削波正弦波输出

  • ● 优化EMI和抖动之间的最佳平衡

SiT5356高精度压控温补晶振具有丰富的可编程功能

  • ● 1MHz - 60MHz任意频率,可精确到小数点后6位
  • ● 频率稳定度:±0.1 ppm、±0.2 ppm、±0.25 ppm
  • ● 2.25V - 3.63V
  • ●  牵引范围±6.25 ±3200ppm:定制TCXO规范以实现最佳系统性能


SiT5356高精度压控温补晶可以通过I2C进行数字频率调谐

  • ● 消除电路板噪声引起的频移


SiT5356高精度压控温补晶具有卓越的可靠性

  • ● 10亿小时MTBF
  • ● 终身保修:减少因时钟组件导致的维修成本和现场故障

● SONET/SDH Stratum 3 ● IEEE 1588边界时钟 ● 光传输(OTN、OLT等) ● 电缆模型终端系统(CMTS)
● 同步以太网 ● 宽带卫星 ● 数字化仪表 ● 串行数据链路
● 无线和回程 ● 光纤、电缆、DSL ● 精密GNSS ● 雷达和激光雷达
● GPS/GNSS模块 ● 电力和能源 ● 国防和航空航天 ● 铁路
● 远程通信 ● 资产跟踪 ● 室内定位 ● 智能农业
● 智慧城市

功能引脚示意图
脚位
功能

 上拉/下拉电阻 

说明

1 OE/NC[10]/VC
OE – Input
100kΩ Pull-Up

 H[8]: specified frequency output 

 L: output is high impedance. Only output driver is disabled.

NC – No Connect

 H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
VC – Input

 Control Voltage in VCTCXO Mode
2 SCL / NC[10]
SCL – Input
200kΩ  Pull-Up
 I2C serial clock input
No Connect

 H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
3 NC[10]
No Connect
-  H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
4 GND
Power
-  Connect to ground
5 A0 / NC[10]
A0 – Input
100 kΩ Pull-Up

 Device I2C address when the address selection mode is via the A0 pin. This pin is NC when the I2C device address is specified in the ordering code.

 A0 Logic Level    I2C Address
 0                        1100010
 1                        1101010
NC – No Connect

 H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions.
6 CLK
Output
-  LVCMOS, or clipped sinewave oscillator output
7 NC[10]
No Connect
-  H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
8 NC[10]
No Connect
-  H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions
9 VDD
Power
-  Connect to power supply[9]
10 SDA / NC[10]
SDA – Input/Output
200 kΩ Pull Up  I2C Serial Data.
NC – No Connect

 H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions.



Notes:
8.In OE mode for noisy environments, a pull-up resistor of 10 kΩ or less is recommended if pin 1 is not externally driven. If pin 1 needs to be left floating, use the NC option.
9.A 0.1 μF capacitor in parallel with a 10 μF capacitor are required between VDD and GND. The 0.1 μF capacitor is recommended to place close to thedevice, and place the 10 μF capacitor less than 2 inches away.
10.All NC pins can be left floating and do not need to be soldered down.



标题 时间
MEMS谐振器介绍 2021-03-15
如何测量晶振频率 2021-03-15
时钟抖动定义及测量方法 2021-03-15
类别:
频率:
MHz(输入频率值范围为1.0~~220.0MHZ)
输出电平模式:
抖动:
封装尺寸:
频率稳定度:
温度范围:
工作电压:
包装形式:
输出控制脚:
牵引范围:
扩频比例:
驱动强度:

选型生成SiTime型号如下:

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